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电子元器件详细资料 » IC[25203] » NTLGD3502NT1G
型号:NTLGD3502NT1G类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:6-VDFN 裸露焊盘描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.3A,3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C60 毫欧 @ 4.3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs4nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds480pF @ 10V
功率_最大1.74W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装6-DFN(3x3)
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市金亿泰电子有限公司郑086-755-83252273
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
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